Onderzoekers bij IBM zijn er in geslaagd een uit grafeen gemaakte transistor te laten schakelen met een frequentie van 100 gigahertz. Daarmee is het onderdeel sneller dan bijna alle andere halfgeleiders, met uitzondering van enkele gallium-arsenide transistoren.

De nieuwe transistor is gemaakt van grafeen, een laag koolstof met een regelmatig zeshoekpatroon en een dikte van slechts één atoom. De schakelingen worden geproduceerd door koolstofdamp te laten neerslaan op een wafer van silicium-carbide, een materiaal waarvan normaliter slijpstenen worden gemaakt.

Door een speciaal warmteproces wordt de toplaag van de wafers als het ware stukgebakken, zodat de siliciumatomen van de bovenste laag worden losgebroken. Wat overblijft is een laag grafeen, die vastzit op een isolerende onderlaag van het siliciumcarbide (SiC). De grafeenlaag wordt de basis van de te maken transistoren.

De wafers hebben een doorsnede van 2 inch, een maat die in de toekomst groter kan worden als het groeiproces nog beter in de hand gehouden kan worden. IBM heeft deze chips gemaakt op bestelling. De productie gebeurt in het kader van het Carbon Electronics for RF Applications (CERA) programma van de Defense Advanced Research Project Agency (Darpa). Volgens IBM is dit de eerste keer dat een grafeen transistor in staat bleek om radiofrequente (RF) signalen te verwerken.